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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      250

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      290

      最大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

      15

      通道（dào）极性：

      N沟（gōu）道（dào）

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-252-2L/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,290mΩ,15A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


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